
二氯硅烷
【用途一】
用于电子工业中多晶硅外延生长以及化学气相淀积二氧化硅和氮化硅
用于电子工业中多晶硅外延生长以及化学气相淀积二氧化硅和氮化硅
【用途二】
用于半导体制造中,尤其是外延法工艺作为硅源。
用于半导体制造中,尤其是外延法工艺作为硅源。
产品名称
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中文名二氯硅烷
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英文名Dichlorosilane
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中文别名三氯矽烷
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英文别名
dichlordisilane SiCl2 dihydridodichlorosilane MFCD00011600 dichloro-silane Silane,dichloro dichloromonosilane bis chlorosilane EINECS 223-888-3 Silicon chloride hydride dihydrogendichlorosilane -
常用名二氯硅烷
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C A S号4109-96-0
物理性质
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密度1,22 g/cm3
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沸点8.3 °C(lit.)
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熔点−122 °C(lit.)
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化学式Cl2H2Si
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结构式
1、摩尔折射率:无可用的
2、摩尔体积(cm3/mol):无可用的
3、等张比容(90.2K):无可用的
4、表面张力(dyne/cm):无可用的
5、介电常数:无可用的
6、极化率:无可用的
7、单一同位素质量:99.930281 Da
8、标称质量:100 Da
9、平均质量:101.0074 Da
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闪点-37°C
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分子量101.00700
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精确质量99.93030
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P S A
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外观形状无色气体
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储存条件
储存注意事项储存于阴凉、通风的有毒气体专用库房。库温不宜超过30℃。远离火种、热源。包装必须密封,切勿受潮。应与氧化剂、碱类、醇类、食用化学品分开存放,切忌混储。采用防爆型照明、通风设施。禁止使用易产生火花的机械设备和工具。储区应备有泄露应急处理设备。
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稳定性
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水溶解性
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形态
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H L B值
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粘度
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PH值
作用/用途
【用途一】
用于电子工业中多晶硅外延生长以及化学气相淀积二氧化硅和氮化硅
用于电子工业中多晶硅外延生长以及化学气相淀积二氧化硅和氮化硅
【用途二】
用于半导体制造中,尤其是外延法工艺作为硅源。
用于半导体制造中,尤其是外延法工艺作为硅源。
制备方法
1.将硅粉和氯化氢按适当比例进行反应,生成二氯二氢硅,经蒸馏分离三氯氢硅,把得到的二氯二氢硅进行精制,制得电子级高纯二氯二氢硅成品。
2.将27.1g SiHCl3与3.7g Bu3N在常压下回流40h,即得到产品。产物用置于干冰浴上的接收器收集。产率可达到7.3%。
3.将硅粉和氯化氢按适当比例进行反应,生成二氯二氢硅,经蒸馏分离三氯氢硅,将得到的二氯二氢硅进行精制,制得电子级高纯二氯二氢硅成品。其反应式如下:
安全提醒
MSDS
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原料简介
应用范围
毒性和生态
安全信息
符号 |
![]() ![]() ![]() GHS02, GHS05, GHS06 |
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信号词 | Danger |
危害声明 | H220-H280-H314-H331 |
补充危害声明 | Reacts violently with water. |
警示性声明 | P210-P261-P280-P305 + P351 + P338-P310-P410 + P403 |
个人防护装备 | Faceshields;Gloves;Goggles;half-mask respirator (US);multi-purpose combination respirator cartridge (US) |
危害码 (欧洲) | F+: Highly flammable;T: Toxic; |
风险声明 (欧洲) | R12;R14;R23;R34 |
安全声明 (欧洲) | S26-S36/37/39-S45 |
危险品运输编码 | UN 2189 2.3 |
WGK德国 | 1 |
RTECS号 | VV3050000 |
危险类别 | 2.3 |
是否危险品
危险性
危险类别码
危险等级
触发危险方式
安全技术说明书
环境影响程度
包装与储运
相关供应商