用于制造切削工具、耐磨部件，铜、钴、铋等金属的熔炼坩埚，耐磨半导体薄膜。
1、摩尔折射率：无可用的
2、摩尔体积（cm3/mol）：无可用的
3、等张比容（90.2K）：无可用的
4、表面张力（dyne/cm）：无可用的
5、介电常数：无可用的
6、极化率（10-24cm3）：无可用的
7、单一同位素质量：379.9018 Da
8、标称质量：380 Da
9、平均质量：379.6907 Da
常温密闭避光，通风干燥处
1.以金属钨和炭为原料，将平均粒径为3～5μm的钨粉与等物质的量的炭黑用球磨机干混，充分混合后，加压成型后放入石墨盘，再在石墨电阻炉或感应电炉中加热至1400～1700℃，最好控制在1550～1650℃。在氢气流中，生成W2C，
2.将钨与碳按摩尔比2∶1的计量混合，在真空或氢气氛中于1400℃反应形成WC，在1600～2000℃反应形成W2C。
3.直接法 以金属钨和炭为原料制备碳化钨，反应式如下。将平均粒径为３～５μｍ的钨粉与等物质的量的炭黑用球磨机干混10h，充分混合后，加压成型后放入石墨盘，再在石墨电阻炉或感应电炉中加热至1400～1700℃，最好控制在1550～1650℃。在氢气流中，最初生成Ｗ２Ｃ.
4.六羰基钨分解法 首先将六羰基钨［Ｗ（ＣＯ）６］在650～1000℃、CO气氛中热分解制得钨粉，然后与一氧化碳于1150℃反应1h，温度大于此温度可生成Ｗ２Ｃ，因此需仔细控制温度。
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将平均粒径为３～５μｍ的钨粉与等物质的量的炭黑用球磨机干混10h，充分混合后，加压成型后放入石墨盘，再在石墨电阻炉或感应电炉中加热至1400～1700℃，最好控制在1550～1650℃。在氢气流中，最初生成Ｗ２Ｃ.
